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                      針對半導體器件、材料的噪聲測量:
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                      2、電容電壓特性CV曲線(CVU);
                      3、脈沖特性測試(PMU),支持超高速脈沖測試。
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                      針對高壓光耦合器、高壓繼電器及高壓開關等高絕緣耐受力之元件,提供高 壓的耐壓測試與局部放電偵測,確保產品質量與 提升產品可靠度。
                      局部放電測試器對待測物施加一個特定條件下的電壓,測量其視在放電電荷量(PD),除了驗證其能否承受瞬間高電壓(Hipot Test)的能力,同時也驗證在額定工作電壓的絕緣完整性。
                      局部放電測試能夠偵測待測物是否存在異常氣隙,透過施加一個略高于元件最高額定工作電壓的局部放電電 荷測試,用以檢驗電氣元件在正常工作電壓條件下之長久可靠性,但于實際生產上絕緣材料內部當然不可能百分之百無氣隙存在于絕緣材料內, 故在IEC60747-5-5光耦合器法規針對局部放電測試定義其放電電荷量不能大于5pC (qpd=5pC)。
                      產品:19501-K
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                      局部放電偵測
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                      產品:19501-K
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